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西門(mén)康混合碳化硅功率模塊SKM200GB12T4SiC

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品牌: 西門(mén)康SEMIKRON
電壓: 1200V
電流: 200A
尺寸: 106x62x31
單價(jià): 面議
所在地: 上海
有效期至: 長(zhǎng)期有效
最后更新: 2024-03-26 11:10
瀏覽次數(shù): 438
詢(xún)價(jià)
店鋪基本資料信息
  • 西門(mén)康SEMlKRON
  • 聯(lián)系人姚國(guó)利(女士) 銷(xiāo)售經(jīng)理   
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  • 地址上海市寶山區(qū)富聯(lián)一路98弄6號(hào)
 
產(chǎn)品詳細(xì)說(shuō)明
 混合碳化硅功率模塊

IGBT和碳化硅肖特基二極管的功率模塊

高開(kāi)關(guān)頻率并且和提高了輸出功率和效率

賽米控提供混合碳化硅功率模塊如,SEMITRANSSKiM63/93。將*新的IGBT技術(shù)和由領(lǐng)先供應(yīng)商所提供的SiC(碳化硅)肖特基二極管結(jié)合在一起,以提高開(kāi)關(guān)頻率,同時(shí)減少功率損耗。

可提供的混合碳化硅功率模塊電流為8A - 450A,電壓為 1200V。涵蓋三相全橋和半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiC(碳化硅)肖特基續(xù)流二極管所帶來(lái)的開(kāi)關(guān)損耗近乎為零, 同時(shí)能大大降低IGBT的導(dǎo)通損耗。這些效果可以在同一個(gè)模塊封裝里帶來(lái)更高的開(kāi)關(guān)頻率,它有效地降低了對(duì)如太陽(yáng)能逆變器、UPS系統(tǒng)或高頻電源的輸出端的濾波要求。而且可實(shí)現(xiàn)比標(biāo)準(zhǔn)硅功率模塊更高的輸出功率。

 

SKM200GB12T4SiC

SiC Modules

SEMITRANS 3 (106x62x31)

 

Part Number    22892069

Product Status          Sample status

Housing   SEMITRANS 3 (106x62x31)

(LLxBBxHH)      106x62x31

Switches  Half Bridge

VCE in V   1200

ICnom in A        200

Technology       SiC Diode + IGBT 4 (Trench)
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