開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門(mén)的技術(shù),而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題,不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。以下是對(duì)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展關(guān)注焦點(diǎn)的調(diào)查得出的十個(gè)熱門(mén)關(guān)注點(diǎn)。
關(guān)注點(diǎn)一:功率半導(dǎo)體器件性能
1998年,Infineon公司推出冷mos管,它采用“超級(jí)結(jié)”(Super-Junction)結(jié)構(gòu),故又稱(chēng)超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V~800V,通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數(shù)量級(jí),仍保持開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn),是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體電子器件。
IGBT剛出現(xiàn)時(shí),電壓、電流額定值只有600V、25A。很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi),耐壓水平限于1200V~1700V,經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的探索研究和改進(jìn),現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達(dá)到3300V/1200A和4500V/1800A,高壓IGBT單片耐壓已達(dá)到6500V,一般IGBT的工作頻率上限為20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型結(jié)構(gòu)應(yīng)用新技術(shù)制造的IGBT,可工作于150kHz(硬開(kāi)關(guān))和300kHz(軟開(kāi)關(guān))。
IGBT的技術(shù)進(jìn)展實(shí)際上是通態(tài)壓降,快速開(kāi)關(guān)和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結(jié)構(gòu)形式的不同,IGBT在20年歷史發(fā)展進(jìn)程中,有以下幾種類(lèi)型:穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、軟穿通(SPT)型、溝漕型和電場(chǎng)截止(FS)型。
碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料,其優(yōu)點(diǎn)是:禁帶寬、工作溫度高(可達(dá)600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、PN結(jié)耐壓高等,有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導(dǎo)體電子元器件。
可以預(yù)見(jiàn),碳化硅將是21世紀(jì)最可能成功應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件材料。
關(guān)注點(diǎn)二:開(kāi)關(guān)電源功率密度
提高開(kāi)關(guān)電源的功率密度,使之小型化、輕量化,是人們不斷努力追求的目標(biāo)。電源的高頻化是國(guó)際電力電子界研究的熱點(diǎn)之一。電源的小型化、減輕重量對(duì)便攜式電子設(shè)備(如移動(dòng)電話,數(shù)字相機(jī)等)尤為重要。使開(kāi)關(guān)電源小型化的具體辦法有:
一是高頻化。為了實(shí)現(xiàn)電源高功率密度,必須提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲(chǔ)能元件的體積重量。
二是應(yīng)用壓電變壓器。應(yīng)用壓電變壓器可使高頻功率變換器實(shí)現(xiàn)輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的“電壓-振動(dòng)”變換和“振動(dòng)-電壓”變換的性質(zhì)傳送能量,其等效電路如同一個(gè)串并聯(lián)諧振電路,是功率變換領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。
三是采用新型電容器。為了減小電力電子設(shè)備的體積和重量,必須設(shè)法改進(jìn)電容器的性能,提高能量密度,并研究開(kāi)發(fā)適合于電力電子及電源系統(tǒng)用的新型電容器,要求電容量大、等效串聯(lián)電阻ESR小、體積小等。
關(guān)注點(diǎn)三:高頻磁與同步整流技術(shù)
電源系統(tǒng)中應(yīng)用大量磁元件,高頻磁元件的材料、結(jié)構(gòu)和性能都不同于工頻磁元件,有許多問(wèn)題需要研究。對(duì)高頻磁元件所用磁性材料有如下要求:損耗小,散熱性能好,磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級(jí)頻率的磁性材料為人們所關(guān)注,納米結(jié)晶軟磁材料也已開(kāi)發(fā)應(yīng)用。
高頻化以后,為了提高開(kāi)關(guān)電源的效率,必須開(kāi)發(fā)和應(yīng)用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。它是過(guò)去幾十年國(guó)際電源界的一個(gè)研究熱點(diǎn)。
對(duì)于低電壓、大電流輸出的軟開(kāi)關(guān)變換器,進(jìn)一步提高其效率的措施是設(shè)法降低開(kāi)關(guān)的通態(tài)損耗。例如同步整流SR技術(shù),即以功率MOS管反接作為整流用開(kāi)關(guān)二極管,代替蕭特基二極管(SBD),可降低管壓降,從而提高電路效率。
關(guān)注點(diǎn)四:分布電源結(jié)構(gòu)
分布電源系統(tǒng)適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站(如圖像處理站)、大型數(shù)字電子交換系統(tǒng)等的電源,其優(yōu)點(diǎn)是:可實(shí)現(xiàn)DC/DC變換器組件模塊化;容易實(shí)現(xiàn)N+1功率冗余,易于擴(kuò)增負(fù)載容量;可降低48V母線上的電流和電壓降;容易做到熱分布均勻、便于散熱設(shè)計(jì);瞬態(tài)響應(yīng)好;可在線更換失效模塊等。
現(xiàn)在分布電源系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu)類(lèi)型,一是兩級(jí)結(jié)構(gòu),另一種是三級(jí)結(jié)構(gòu)。
關(guān)注點(diǎn)五:PFC變換器
由于AC/DC變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容,在正弦電壓輸入時(shí),單相整流電源供電的電子設(shè)備,電網(wǎng)側(cè)(交流輸入端)功率因數(shù)僅為0.6~0.65。采用PFC(功率因數(shù)校正)變換器,網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)可提高到0.95~0.99,輸入電流THD小于10%。既治理了電網(wǎng)的諧波污染,又提高了電源的整體效率。這一技術(shù)稱(chēng)為有源功率因數(shù)校正APFC單相APFC國(guó)內(nèi)外開(kāi)發(fā)較早,技術(shù)已較成熟;三相APFC的拓?fù)漕?lèi)型和控制策略雖然已經(jīng)有很多種,但還有待繼續(xù)研究發(fā)展。
一般高功率因數(shù)AC/DC開(kāi)關(guān)電源,由兩級(jí)拓?fù)浣M成,對(duì)于小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō),采用兩級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)總體效率低、成本高。
如果對(duì)輸入端功率因數(shù)要求不特別高時(shí),將PFC變換器和后級(jí)DC/DC變換器組合成一個(gè)拓?fù),?gòu)成單級(jí)高功率因數(shù)AC/DC開(kāi)關(guān)電源,只用一個(gè)主開(kāi)關(guān)管,可使功率因數(shù)校正到0.8以上,并使輸出直流電壓可調(diào),