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名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件已研發(fā)成功

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-20     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):96
核心提示:

眾所周知,晶體管要分成多種類型。其中,MOSFET作為基礎(chǔ)器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應(yīng)用。但是目前使用的場(chǎng)效應(yīng)管存在兩個(gè)被學(xué)術(shù)界稱為PN結(jié)的結(jié)構(gòu)。正常工作時(shí)源極和襯底間的PN結(jié)始終處于正向?qū)顟B(tài),所以在一般情況下,場(chǎng)效應(yīng)管的源極和襯底是連接在一起的,由此源極和襯底間的PN結(jié)并沒有在電路中起作用。

據(jù)相關(guān)研究人員介紹,他們?cè)诩呻娐返幕締卧w管研究上取得突破,發(fā)明了一種名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件。

他們據(jù)此提出了一項(xiàng)專*申請(qǐng),制造一種只有一個(gè)PN結(jié)的場(chǎng)效應(yīng)管,能夠完全取代現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)管、簡(jiǎn)化場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、降低成本并提高集成度。

相關(guān)研究人員表示,“單PN結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管只需改變相應(yīng)設(shè)計(jì),完全能夠在現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)的CMOS生產(chǎn)線上成功制造出來,希望能夠有設(shè)計(jì)和制造伙伴與我們進(jìn)行對(duì)接,盡快向產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)!

 

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