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第3代半導體仍被外國壟斷 中國國防所需嚴重受限

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-20     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):98
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MOCVD系統(tǒng)的需求量不斷增長,而我國幾乎全部依賴進口。

由于我國在第三代半導體材料相關研究領域起步較晚,目前在材料的自主制備上仍面臨難關。同時,我國對基礎的材料問題關注度不夠;一旦投入與支持的力度不夠,相關人才便很難被吸引,人才隊伍建設的問題也將逐漸成為發(fā)展瓶頸。

夜幕降臨的北京,你若有機會乘車路過北四環(huán),都會被那光芒四射、異彩紛呈的鳥巢、水立方所吸引,甚至忍不住駐足欣賞。

這些流光溢彩建筑的背后,主要得益于半導體照明技術的充分運用。

可惜的是,水立方44萬套LED照明設備、鳥巢約25.8萬套LED照明設備都采購自美國科銳(CREE)公司,難覓“國產(chǎn)”的蹤影。

實際上,隨著第三代半導體材料成為全球半導體研究的前沿和熱點,我國在半導體材料發(fā)光器件、微波功率器件等關鍵研究領域正迎頭趕上,甚至開始試產(chǎn)、試用,然而與國外同行相比,差距猶存。

“最大的瓶頸是什么?是原材料!敝袊茖W院半導體研究所研究員、中國電子學會半導體與集成技術分會秘書長王曉亮在接受《中國科學報》記者采訪時說,原材料的質(zhì)量、制備問題,亟待破解。

“寬禁帶”前景廣闊

材料、信息、能源構筑的當代文明社會,缺一不可。中科院院士、半導體物理專家黃昆與夏建白曾指出,“半導體不僅具有極其豐富的物理內(nèi)涵,而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下”,可謂是“最有料”的材料。

相比第二代半導體材料(以砷化鎵和磷化銦為代表),以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶半導體材料具有功率密度大、體積小、質(zhì)量輕的性質(zhì),應用前景廣闊,被認為是第三代半導體材料。

“尤其是在半導體照明和微波功率器件等方面,許多國家都在新一代半導體材料上加緊部署,不甘落后!蓖鯐粤帘硎,半導體白光照明號稱“繼愛迪生發(fā)明燈泡之后的第二次照明革命”。

目前,半導體發(fā)光器件的應用范圍之廣,覆蓋了幾乎人們可見到的各類信號燈、車內(nèi)照明、信息屏、彩色顯示設備,甚至實現(xiàn)白光照明。

半導體照明產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長吳玲認為,在未來的數(shù)年內(nèi),中國有機會成為世界半導體照明的產(chǎn)業(yè)強國。

王曉亮告訴記者,氮化鎵的功率密度是砷化鎵的10~30倍;另外它的極限工作溫度也比較高,這弱化了散熱的問題。使用該材料制備的微波功率器件,將能夠更好地用于通信、雷達、手機基站、信息處理、自動化控制等關鍵領域。

“在微波功率器件上的應用,是各國爭奪的戰(zhàn)略高地。”王曉亮說,這些無論是在軍用領域還是在民用市場,都非常重要。

以寬禁帶半導體材料制備的新一代電力電子器件損耗更低,效率更高,有望在“智能電網(wǎng)”工程中一展身手。王曉亮對記者說,新一代的電力電子器件(如氮化鎵和碳化硅材料的功率開關)將會在電力系統(tǒng)的發(fā)電、輸電、變電、配電、用電和調(diào)度各個環(huán)節(jié)發(fā)揮節(jié)能效用,降低電力損耗。

跨越發(fā)展的契機

“如果我們能抓住以氮化物為代表的寬禁帶半導體材料發(fā)展的機遇,將提供給我們實現(xiàn)跨越發(fā)展的契機!蓖鯐粤帘硎。

毫無疑問,我國作為世界上最大的電子產(chǎn)品設備生產(chǎn)和消費國及最大的半導體材料消費國,在半導體材料方面實現(xiàn)跨越式發(fā)展,戰(zhàn)略意義重大。

“在崛起發(fā)展的過程中,一些西方國家從未間斷對我國的騷擾,竭力遏制我們的發(fā)展。軍事、經(jīng)濟、貨幣等方面的壓制,歸結起來都是科技力量的角逐!蓖鯐粤琳f,只有依靠科技創(chuàng)新,才有自主保障,才不會被別有用心的勢力所牽制。

據(jù)王曉亮介紹,美國早在1993年就已經(jīng)研制出第一支氮化鎵的材料和器件,而我國最早的研究隊伍——中國科學院半導體研究所在1995年也起步該方面的研究,并于2000年做出HEMT結構材料(高電子遷移率晶體管)。

自此之后,半導體所成績斐然,先后合作研制出我國第一支GaN基HEMT器件、第一支GaN基X波段微波功率器件、第一塊GaN基微波單片集成電路等等。

經(jīng)過多年的創(chuàng)新研究,我國在一些研究中也逐漸躋身前列,例如我國中科院半導體所研制的AlGaN/GaN結構的室溫遷移率超過2100cm2/v·s,具有世界領先水平。

“國外比我們先行一步,我們承認差距,但是我們要本著‘引進—消化—吸收—創(chuàng)新’的科學態(tài)度,學習他們的先進經(jīng)驗,節(jié)約我們的資源和時間成本,跨越發(fā)展,最終通過自主創(chuàng)新實現(xiàn)超越!蓖鯐粤琳f。

自主制備面臨難關

王曉亮告訴記者,我國目前在第三代半導體材料的自主制備上仍面臨難關。

湖南大學應用物理系副教授曾健平撰文指出,目前我國對SiC晶元的制備尚為空缺,實驗的材料多來自于美國,新材料的制備需要新的生產(chǎn)線及新的工藝,而當前的情況是,我國的大多數(shù)設備都靠國外進口。

MOCV

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