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日前外媒報導,北卡羅萊納州立大學發(fā)現(xiàn)了一種通過降低氮化鎵薄薄膜中的2~3個數(shù)量級缺陷,來提高led發(fā)光材料的質(zhì)量的新技術(shù)。
研究人員介紹,通過該技術(shù),相同的輸入電能能夠多產(chǎn)生2倍的輸出光能,對于低電能輸入和紫外發(fā)光范圍的LED而言,這種增長非?捎^。
LED照明主要依賴于氮化鎵薄膜的發(fā)光二極管,研究人員將2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到長2微米寬,0.5微米的空間間隙,之后發(fā)現(xiàn),許多缺陷會被吸引并困在這些空隙空間里。這使得空隙空間上減少了許多缺陷。因此,他們有效的在薄膜中放置一些空隙空間后,成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。如果沒有這個空隙技術(shù),每平方厘米的氮化鎵薄膜將會有大約1010個缺陷。然而使用了這個技術(shù)后,每平方厘米的缺陷將會降到大約107.以此可制造出更高質(zhì)量、更有效的發(fā)光二極管。