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核心提示：
國際整流器公司(IR)日前推出30V同步降壓式轉(zhuǎn)換器芯片組，其中包括IRF6631控制MOSFET和IRF6638同步MOSFET。該芯片組采用雙面冷卻的IR基準(zhǔn)DirectFET封裝和最新的HEXFET MOSFET技術(shù)，可以在中電流水平(低于18安培)實(shí)現(xiàn)更高的效率和散熱表現(xiàn)。其應(yīng)用包括筆記本電腦、臺(tái)式電腦、電信和數(shù)據(jù)通信，以及需要細(xì)小、高效及更好的導(dǎo)熱效果來提高功率密度的通用同步降壓式設(shè)計(jì)。
IR中國銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出：“DirectFET芯片組不僅能在5至8安培應(yīng)用上提高超過百分之一的效率，還比采用3顆SO-8器件的典型方法節(jié)省了百分之五十的占板面積�！�
該芯片組的每個(gè)器件都是為了使同步DC/DC降壓式轉(zhuǎn)換器電路實(shí)現(xiàn)最佳性能而設(shè)計(jì)的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低開關(guān)損耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET則能減少傳導(dǎo)損耗及反向恢復(fù)電荷。
IRF6631控制FET的柵極電荷為12nC，電阻柵極電荷(99.6mohm snC)優(yōu)值系數(shù)比先前的產(chǎn)品減少了16%。IRF6638 DirectFET同步FET在4.5V時(shí)可提供3.0mohm的典型導(dǎo)通電阻，在保持同一柵極電荷時(shí)，比現(xiàn)有的器件減少了12%。
IR獲得專*的DirectFET MOSFET封裝體現(xiàn)了以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝沒有具備的一系列設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。金屬罐構(gòu)造可以實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，使先進(jìn)微處理器供電的高頻DC-DC降壓式轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提升了一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均符合有害物質(zhì)限制(RoHS)規(guī)定。
IR中國銷售總監(jiān)嚴(yán)國富指出：“DirectFET芯片組不僅能在5至8安培應(yīng)用上提高超過百分之一的效率，還比采用3顆SO-8器件的典型方法節(jié)省了百分之五十的占板面積�！�
該芯片組的每個(gè)器件都是為了使同步DC/DC降壓式轉(zhuǎn)換器電路實(shí)現(xiàn)最佳性能而設(shè)計(jì)的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低開關(guān)損耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET則能減少傳導(dǎo)損耗及反向恢復(fù)電荷。
IRF6631控制FET的柵極電荷為12nC，電阻柵極電荷(99.6mohm snC)優(yōu)值系數(shù)比先前的產(chǎn)品減少了16%。IRF6638 DirectFET同步FET在4.5V時(shí)可提供3.0mohm的典型導(dǎo)通電阻，在保持同一柵極電荷時(shí)，比現(xiàn)有的器件減少了12%。
IR獲得專*的DirectFET MOSFET封裝體現(xiàn)了以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝沒有具備的一系列設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。金屬罐構(gòu)造可以實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，使先進(jìn)微處理器供電的高頻DC-DC降壓式轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提升了一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均符合有害物質(zhì)限制(RoHS)規(guī)定。
