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倒裝晶片所需具備的條件：
基材材是硅； �、陔姎饷婕昂竿乖谠卤砻�； ③組裝在基板后需要做底部填充。
倒裝晶片的定義：
其實(shí)倒裝晶片之所以被稱(chēng)為“倒裝”是相對(duì)于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding）與植球后的工藝而言 的。傳統(tǒng)的通過(guò)金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當(dāng)于將前者翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)， 故稱(chēng)其為“倒裝晶片”。
倒裝芯片的實(shí)質(zhì)是在傳統(tǒng)工藝的基礎(chǔ)上，將芯片的發(fā)光區(qū)與電極區(qū)不設(shè)計(jì)在同一個(gè)平面這時(shí)則由電極區(qū)面朝向燈杯底部進(jìn)行貼裝，可以省掉焊線這一工序，但是對(duì)固晶這段工藝的精度要求較高，一般很難達(dá)到較高的良率。
倒裝芯片與與傳統(tǒng)工藝相比所具備的優(yōu)勢(shì)：
通過(guò)MOCVD技術(shù)在蘭寶石襯底上生長(zhǎng)GaN基LED結(jié)構(gòu)層，由P/N結(jié)髮光區(qū)發(fā)出的光透過(guò)上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導(dǎo)性能不佳，為獲得良好的電流擴(kuò)展，需要通過(guò)蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層Ni-Au組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過(guò)該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴(kuò)展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發(fā)光效率就會(huì)受到很大影響，通常要同時(shí)兼顧電流擴(kuò)展與出光效率二個(gè)因素。但無(wú)論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會(huì)使透光性能變差。此外，引線焊點(diǎn)的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaN LED倒裝芯片的結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上面的問(wèn)題。
倒裝LED芯片技術(shù)行業(yè)應(yīng)用分析：
近年，世界各國(guó)如歐洲各國(guó)、美國(guó)、日本、韓國(guó)和中國(guó)等皆有LED照明相關(guān)項(xiàng)目推行。其中，以我國(guó)所推廣的“十城萬(wàn)盞”計(jì)劃最為矚目。路燈是城市照明不可缺少的一部分，傳統(tǒng)路燈通常采用高壓鈉燈或金鹵燈，這兩種光源最大的特點(diǎn)是發(fā)光的電弧管尺寸小，可以產(chǎn)生很大的光輸出，并且具有很高的光效。但這類(lèi)光源應(yīng)用在道路燈具中，只有約40%的光直接通過(guò)玻璃罩到達(dá)路面，60%的光通過(guò)燈具反射器反射后再?gòu)臒艟咧猩涑�。因此目前傳統(tǒng)燈具基本存在兩個(gè)不足，一是燈具直接照射的方向上照度很高，在次干道可達(dá)到50Lx以上，這一區(qū)域?qū)倜黠@的過(guò)度照明， 而兩個(gè)燈具的光照交叉處的照度僅為燈下中心位置的照度的20%-40%，光分布均勻度低；二是此類(lèi)燈具的反射器效率一般僅為50%-60%，因此在反射過(guò)程中有大量的光損失，所以傳統(tǒng)高壓鈉燈或金鹵燈路燈總體效率在70-80%，均勻度低，且有照度的過(guò)度浪費(fèi)。另外，高壓鈉燈和金鹵燈使用壽命通常小于6000小時(shí)，且顯色指數(shù)小于30；LED有著高效、節(jié)能、壽命長(zhǎng)(5萬(wàn)小時(shí))、環(huán)保、顯色指數(shù)高(>75)等顯著優(yōu)點(diǎn)，如何有效的將LED應(yīng)用在道路照明上成為了LED及路燈廠家現(xiàn)時(shí)最熱門(mén)的話題。一般而言，根據(jù)路燈的使用環(huán)境對(duì)LED的光學(xué)設(shè)計(jì)、壽命保障、防塵和防水能力、散熱處理、光效等方面均有嚴(yán)格的要求。作為L(zhǎng)ED路燈的核心，LED芯片的制造技術(shù)和對(duì)應(yīng)的封裝技術(shù)共同決定了LED未來(lái)在照明領(lǐng)域的應(yīng)用前景。
1) LED芯片的發(fā)光效率提升
LED芯片發(fā)光效率的提高決定著未來(lái)LED路燈的節(jié)能能力，隨著外延生長(zhǎng)技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)展，外延片的內(nèi)量子效率已有很大提高。要如何滿(mǎn)足路燈使用的標(biāo)準(zhǔn)，很大程度上取決于如何從芯片中用最少的功率提取最多的光，簡(jiǎn)單而言，就是降低驅(qū)動(dòng)電壓，提高光強(qiáng)。傳統(tǒng)正裝結(jié)構(gòu)的LED芯片，一般需要在p-GaN上鍍一層半透明的導(dǎo)電層使電流分布更均勻，而這一導(dǎo)電層會(huì)對(duì)LED發(fā)出的光產(chǎn)生部分吸收，而且p電極會(huì)遮擋住部分光，這就限制了LED芯片的出光效率。而采用倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片，不但可以同時(shí)避開(kāi)P電極上導(dǎo)電層吸收光和電極墊遮光的問(wèn)題，還可以通過(guò)在p-GaN表面設(shè)置低歐姆接觸的反光層來(lái)將往下的光線引導(dǎo)向上，這樣可同時(shí)降低驅(qū)動(dòng)電壓及提高光強(qiáng)。(見(jiàn)圖1)另一方面，圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)技術(shù)和芯片表面粗糙化技術(shù)同樣可以增大LED芯片的出光效率50%以上。PSS結(jié)構(gòu)主要是為了減少光子在器件內(nèi)全反射而增加出光效率，而芯片表面粗糙化技術(shù)可以減少光線從芯片內(nèi)部發(fā)射到芯片外部時(shí)在界面處發(fā)生反射的光線損失。目前，LED芯片采用倒裝結(jié)構(gòu)和圖形化技術(shù)，1W功率芯片白光封裝后，5000K色溫下，光效最高達(dá)到134lm/W。
