新型半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀介紹

　　YB6500半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)功能更加強(qiáng)大，可測(cè)試十九大類二十七分類大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件：系統(tǒng)主要參數(shù)如下： 

　　主極電壓：2000V 
　　主極電流：50A 加選件可擴(kuò)展到：400A，500A,800 A，1000 A,1250A.(用戶自選) 
　　控制極電壓：20V 加選件可擴(kuò)展到：80V 
　　控制極電流：10A 加選件可擴(kuò)展到：40A 
　　電壓分辨率：1mV 
　　電流分辨率：1nA （加YB550分辨率為10pA 
　　測(cè)試速度：1mS/參數(shù)(本系統(tǒng)采用填入式編程方法，專為國內(nèi)用戶開發(fā)) 

　　YB6500系統(tǒng)是專為測(cè)試半導(dǎo)體分立器件和大功率半導(dǎo)體模塊器件而研發(fā)設(shè)計(jì)。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力，能夠真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試以下類型的半導(dǎo)體器件以及相關(guān)器件組成的組合器件、器件陣列： 

　　1) 二極管（DIODE） 
　　2) 晶體管（TRANSISTOR（NPN型/PNP型）） 
　　3) 穩(wěn)壓（齊納）二極管（ZENER ） 
　　4) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型）） 
　　5) MOS場(chǎng)效應(yīng)管（POWER MOSFET（N-溝/P-溝）） 
　　6) 三端穩(wěn)壓器（REGULATOR（正電壓/負(fù)電壓，固定/可變）） 
　　7) 光電耦合器（OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）） 
　　8) 可控硅整流器（SCR ） 
　　9) 雙向可控硅（TRIAC） 
　　10) 絕緣柵雙極大功率晶體管（IGBT（NPN型/PNP型）） 
　　11) 光電邏輯器件（OPTO-LOGIC） 
　　12) 雙向觸發(fā)二極管（DIAC） 
　　13) 固態(tài)過壓保護(hù)器（SSOVP） 
　　14) 光電開關(guān)管（OPTO-SWITCH） 
　　15) 硅觸發(fā)開關(guān)（STS） 
　　16) 繼電器（RELAY） 
　　17) 金屬氧化物壓變電阻（MOV） 
　　18) 壓變電阻（VARISTOR） 
　　19) 達(dá)林頓陣列（DARLINTON） 

　　二極管DIODE 

　　IR；BVR ；VF 
　　晶體管  TRANSISTOR 
　　ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO (電流大于10mA，脈沖寬度300us)；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE(間接參數(shù))； 
　　J型場(chǎng)效應(yīng)管J-FET 
　　IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；IDSON；RDSON；GFS；VGSOFF 
　　MOS場(chǎng)效應(yīng)管  MOS-FET 
　　IDSS；IDSV；IGSSF；  IGSSR ；VGSF ；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD)  IDON；VGSON；RDSON；GFS 
　　雙向可控硅開關(guān)器件（雙向晶閘管）TRIAC 
　　IDRM；IRRM；IGKO；；VD+；VD-；BVGKO；VT+ ；VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- 
　　單向可控硅整流器（普通晶閘管）SCR 
　　IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH 
　　絕緣柵雙極大功率晶體管IGBT 
　　ICES ；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS 
　　硅觸