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在維修過(guò)程中，根據(jù)故障情況要用萬(wàn)用表來(lái)檢測(cè)電子元器件的好壞，如測(cè)量方法不正確就很可能導(dǎo)致誤判斷，這將給維修工作造成困難，甚至造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。測(cè)量方法分為元器件測(cè)試和線路板在路測(cè)試兩種方式。在路測(cè)試：斷開(kāi)變頻器電源，在不拆動(dòng)線路板元器件的條件下，測(cè)量線路板上的元器件。對(duì)于元器件擊穿、短路、開(kāi)路性故障，這種檢測(cè)方法可以方便快捷的查找出損壞的元器件，但還應(yīng)考慮線路板上所測(cè)元器件與其并聯(lián)的元器件對(duì)測(cè)量結(jié)果所產(chǎn)生的影響，以免造成誤判斷錯(cuò)誤。下面介紹元器件好壞的判斷方法：
一、普通二極管的檢測(cè)
用MF47型萬(wàn)用表測(cè)量，將紅、黑表筆分別接在二極管的兩端，讀取讀數(shù)，再將表筆對(duì)調(diào)測(cè)量。根據(jù)兩次測(cè)量結(jié)果判斷，通常小功率鍺二極管的正向電阻值為300－500Ω，硅二極管約為1kΩ或更大些。鍺管反相電阻為幾十千歐，硅管反向電阻在500kΩ以上(大功率二極管的數(shù)值要小的多)。好的二極管正向電阻較低，反向電阻較大，正反向電阻差值越大越好。如果測(cè)得正、反向電阻很小均接近于零，說(shuō)明二極管內(nèi)部已短路；若正、反向電阻很大或趨于無(wú)窮大，則說(shuō)明管子內(nèi)部已斷路。在這兩種情況下二極管就需報(bào)廢。
在路測(cè)試：測(cè)試二極管PN結(jié)正反向電阻，比較容易判斷出二極管是擊穿短路還是斷路。
二、三極管檢測(cè)
將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉䴓O管檔，用表筆測(cè)PN結(jié)，如果正向?qū)ǎ瑒t顯示的數(shù)字即為PN結(jié)的正向壓降。
先確定集電極和發(fā)射極；用表筆測(cè)出兩個(gè)PN結(jié)的正向壓降，壓降大的是發(fā)射極e，壓降小的是集電極c。在測(cè)試兩個(gè)結(jié)時(shí)，紅表筆接的是公共極，則被測(cè)三極管為NPN型，且紅表筆所接為基極b；如果黑表筆接的是公共極，則被測(cè)三極管是PNP型，且此極為基極b。三極管損壞后PN結(jié)有擊穿短路和開(kāi)路兩種情況。
在路測(cè)試：在路測(cè)試三極管，實(shí)際上是通過(guò)測(cè)試PN結(jié)的正、反向電阻，來(lái)達(dá)到判斷三極管是否損壞。支路電阻大于PN結(jié)正向電阻，正常時(shí)所測(cè)得正、反向電阻應(yīng)有明顯區(qū)別，否則PN結(jié)損壞了。支路電阻小于PN結(jié)正向電阻時(shí)，應(yīng)將支路斷開(kāi)，否則就無(wú)法判斷三極管的好壞。
三、三相整流橋模塊檢測(cè)
以SEMIKRON(西門子)整流橋模塊為例，如附圖所示。將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉䴓O管測(cè)試檔，黑表筆接COM，紅表筆接VΩ，用紅、黑兩表筆先后測(cè)3、4、5相與2、1極之間的正反向二極管特性，來(lái)檢查判斷整流橋是否完好。所測(cè)的正反向特性相差越大越好；如正反向?yàn)榱�，說(shuō)明所檢測(cè)的一相已被擊穿短路；如正反向均為無(wú)窮大，說(shuō)明所檢測(cè)的一相已經(jīng)斷路。整流橋模塊只要有一相損壞，就應(yīng)更換。來(lái)源:輸配電設(shè)備網(wǎng)
四、MOS管好壞的經(jīng)驗(yàn)
1：用黑表筆接在D極上 ，紅表筆接在S極上 ， 一般有一個(gè)500-600的阻值
2：在黑表筆不動(dòng)的前提下，用紅表筆點(diǎn)一下G極，然后再用紅筆測(cè)S極，就會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)通
3：紅表筆接D極，黑表筆點(diǎn)以下G極后再接S極 測(cè)得的阻值和1測(cè)的是一樣的 說(shuō)明MOS管工作正常~~
以下方法，是我在維修過(guò)程中總結(jié)的,在板上，不上CPU的情況下，直接打S 和G 的阻值，小于30歐 都基本壞了， 可以對(duì)照上面數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)MOS管的方法：（用2極管檔）的方法取下壞的管測(cè)
五、逆變器IGBT模塊檢測(cè)
將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉䴓O管測(cè)試檔，測(cè)試IGBT模塊C1.E1、C2.E2之間以及柵極G與E1、E2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。
以德國(guó)eupec25A/1200V六相IGBT模塊為例，(參見(jiàn)附圖)。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除，使用二極管測(cè)試檔，紅表筆接P(集電極C1)，黑表筆依次測(cè)U、V、W(發(fā)射極E1)，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大；將表筆反過(guò)來(lái)，黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N(發(fā)射極E2)，黑表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接N，紅表筆測(cè)U、V、W(集電極C2)，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說(shuō)明IGBT模塊性能變差，應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí)，只有擊穿短路情況出現(xiàn)。
紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性，萬(wàn)用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為最大，這時(shí)可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示，則門極性能變差，此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測(cè)試結(jié)果為零時(shí)，說(shuō)明所檢測(cè)的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。
六、電解電容器的檢測(cè)
用MF47型萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，應(yīng)針對(duì)不同容量的電解電容器選用萬(wàn)用表合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般情況下，47μF以下的電解電容器可用R×1K檔測(cè)量，大于47μF的電解電容器可用R×100檔測(cè)量。
將萬(wàn)用表紅表筆接電容器負(fù)極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬間，萬(wàn)用表指針即向右偏轉(zhuǎn)較大幅度，接著逐漸向左回轉(zhuǎn)，直到停在某一位置(返回?zé)o窮大位置)。此時(shí)的阻值便是電解電容器的正向漏電阻。此值越大，說(shuō)明漏電流越小，電容器性能越好。然后，將紅、黑表筆對(duì)調(diào)，萬(wàn)用表指針將重復(fù)上述擺動(dòng)現(xiàn)象。但此時(shí)所測(cè)阻值為電解電容器的反相漏電阻，此值略小于正向漏電阻。即反相漏電流比正向漏電流要大。實(shí)際使用經(jīng)驗(yàn)表明，電解電容
