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光電子支柱產(chǎn)業(yè):我國量子點(diǎn)激光器進(jìn)展情況

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):128
核心提示:
網(wǎng)訊:邊長為數(shù)nm左右,將電子之類的載流子束縛其中的半導(dǎo)體立體構(gòu)造就叫作量子點(diǎn)。量子點(diǎn)激光器(QDLD)具有分立的態(tài)密度函數(shù),因此有著比傳統(tǒng)的量子阱激光器(QWLD)更加優(yōu)越的性能,如超低閾值電流密度(£2A/cm2,比QWLD低一個(gè)量級(jí)以上)、超高閾值電流溫度穩(wěn)定性、超高微分增益(比QWLD高一個(gè)量級(jí)以上)、極高的調(diào)制帶寬和在直流電流調(diào)制下無波長漂移工作、對(duì)襯底缺陷不敏感等。這些特性將使半導(dǎo)體激光器的性能有一個(gè)大的飛躍,有力地推動(dòng)激光物理學(xué)科的發(fā)展,開辟半導(dǎo)體激光器制造的新方向,并有可能成為21世紀(jì)光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱之一。

  量子點(diǎn)最初設(shè)想應(yīng)用于電子元器件。但率先實(shí)用化的是激光器。比如:富士通等成立的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)“QDLaser”于2010年與東京大學(xué)合作量產(chǎn)了面向光通信市場(chǎng)的量子點(diǎn)激光器。量子點(diǎn)激光器比傳統(tǒng)激光器的耗電量小,相對(duì)于光輸出溫度變化的穩(wěn)定性高。

  何為量子點(diǎn)激光器?

  簡單的說,量子點(diǎn)激光器是由一個(gè)激光母體材料和組裝在其中的量子點(diǎn)以及一個(gè)激發(fā)并使量子點(diǎn)中粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的泵源所構(gòu)成。

  量子點(diǎn)激光器的優(yōu)點(diǎn):

  同常規(guī)的激光器相比,由于有源區(qū)為量子機(jī)構(gòu),器件特性便具有下列新特點(diǎn):

  1、態(tài)密度線狀分布,導(dǎo)帶中第一個(gè)電子能級(jí)E1c高于原價(jià)帶中第一個(gè)空穴能級(jí)E1,低于原價(jià)帶頂Ev,因此E1c-E1v大于Eg,所產(chǎn)生的光子能量大于材料的禁帶寬度。相應(yīng)的其發(fā)射波長出現(xiàn)了藍(lán)移。

  2、量子激光器中,輻射復(fù)合主要發(fā)生在E1c和E1v之間,這是連個(gè)能級(jí)之間電子和空穴參與的復(fù)合,不同于導(dǎo)帶底附近和價(jià)帶頂附近的電子和空穴參與的輻射復(fù)合,因此量子激光器的光譜線寬明顯地變窄了。

  3、在量子激光器中,由于尺寸通常小于電子和空穴的擴(kuò)散長度,電子和空穴還未來得及擴(kuò)散就被勢(shì)壘限制在勢(shì)阱之中,產(chǎn)生很高的注入效率,易于實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),其增益大為提高,甚至可高達(dá)兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

  量子點(diǎn)激光器的未來:

  量子點(diǎn)激光器的研制在近幾年內(nèi)取得了長足進(jìn)步,已經(jīng)向傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器開始了強(qiáng)有力的挑戰(zhàn),但其性能與理論預(yù)測(cè)相比仍有較大的差距。進(jìn)一步提高量子點(diǎn)激光器的性能,必須解決以下幾個(gè)問題:

  1、如何生長尺寸均勻的量子點(diǎn)陣列。雖然量子點(diǎn)的材料增益很大,但由于尺寸分布的不均勻性,使得量子點(diǎn)發(fā)光峰非均勻展寬,發(fā)光峰半寬比較寬,遠(yuǎn)大于量子阱材料。

  2、如何增加量子點(diǎn)的面密度和體密度,盡可能提高量子點(diǎn)材料的增益

  3、如何優(yōu)化量子點(diǎn)激光器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使其有利于量子點(diǎn)對(duì)載流子的俘獲和束縛

  4、如何通過控制量子點(diǎn)的尺寸或者選擇新的材料體系,拓寬量子點(diǎn)激光器的激射波長工作范圍

  我國在量子點(diǎn)激光器領(lǐng)域進(jìn)展情況

  980nm量子點(diǎn)激光器可廣泛應(yīng)用于大功率光纖放大泵浦源、激光手術(shù)刀、材料加工和防偽檢測(cè)等領(lǐng)域;1.3 mm、1.55mm和可見光的單模量子點(diǎn)激光器在大容量光纖通信,高速光計(jì)算、光互聯(lián)和信息處理等許多方面都有極其重要的應(yīng)用前景。量子點(diǎn)激光器已成為目前國際上前沿研究的熱點(diǎn)和重點(diǎn)方向之一。

  該項(xiàng)目在自組織量子點(diǎn)、量子線材料的可控生長和器件應(yīng)用方面取得了多項(xiàng)突破性進(jìn)展:

  (一) 研制成功In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高質(zhì)量的自組織量子點(diǎn)和量子線材料  通過對(duì)所選材料體系應(yīng)變分布的設(shè)計(jì)(高指數(shù)面襯底、特殊設(shè)計(jì)的緩沖層和種子層誘導(dǎo)作用等)、生長動(dòng)力學(xué)控制(生長溫度、生長速率等)和優(yōu)化生長工藝(多層垂直耦合量子點(diǎn)層數(shù)、隔離層的厚度和量子點(diǎn)的組分等),在原子、分子水平上初步實(shí)現(xiàn)了對(duì)量子點(diǎn)尺寸、形狀、密度和分布有序性的控制,量子點(diǎn)材料的性能達(dá)到了國際先進(jìn)水平。

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