咨詢熱線:021-80392549

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-12-08     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):149
核心提示:

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 11 月29 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便攜式計算和工業(yè)控制設(shè)備中的電源效率,是-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-12V和-20V器件,占位面積為3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。

Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN適用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、工業(yè)傳感器和POL模塊里的電源管理等各種應(yīng)用中的負(fù)載、電池和監(jiān)控開關(guān)。器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者能夠在其電路里實(shí)現(xiàn)更低的電壓降,更高效地使用電能,延長電池使用壽命。

在節(jié)省PCB空間是首要因素的應(yīng)用里,-12V Si5411EDU不但具有8.2mΩ(-4.5V)和11.7mΩ(-2.5V)低導(dǎo)通電阻,而且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封裝具有明顯優(yōu)勢。當(dāng)需要更高的電壓等級時,-20 V Si5415AEDU可滿足需求,具有9.6mΩ(-4.5V)和13.2mΩ(-2.5V)的低導(dǎo)通電阻。兩款器件的典型ESD保護(hù)為5000V。對于需要極低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用,SiSS23DN的4.5m?(-4.5V)和6.3m?(-2.5V)導(dǎo)通電阻可滿足需求,3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝的高度低至0.75mm。

Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2011/65/EU。

器件規(guī)格表:

器件型號

Si5411EDU

Si5415AEDU

SiSS23DN

VDS (V)

-12

-20

-20

VGS (V)

± 8

± 8

± 8

RDS(ON) (m?) @

4.5 V

8.2

9.6

4.5

3.7 V

9.4

-

-

2.5 V

11.7

13.2

6.3

1.8 V

20.6

22.0

11.5

封裝

PowerPAK ChipFET

PowerPAK ChipFET

PowerPAK 1212-8S

Vishay的P溝道Gen III系列包括60余款器件,占位面積從5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。有關(guān)MOSFET的更多信息,請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十三周。

工博士工業(yè)品商城聲明:凡資訊來源注明為其他媒體來源的信息,均為轉(zhuǎn)載自其他媒體,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn),也不代表本網(wǎng)站對其真實(shí)性負(fù)責(zé)。您若對該文章內(nèi)容有任何疑問或質(zhì)疑,請立即與商城(headrickconstructioninc.com)聯(lián)系,本網(wǎng)站將迅速給您回應(yīng)并做處理。
聯(lián)系電話:021-31666777
新聞、技術(shù)文章投稿QQ:3267146135  投稿郵箱:syy@gongboshi.com