半導體激光器工作原理及近期科研進展匯總

網(wǎng)訊：半導體激光器是用半導體材料作為工作物質(zhì)的激光器，由于物質(zhì)結(jié)構(gòu)上的差異，不同種類產(chǎn)生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質(zhì)有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。半導體激光器件，可分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)等幾種。同質(zhì)結(jié)激光器和單異質(zhì)結(jié)激光器室溫時多為脈沖器件，而雙異質(zhì)結(jié)激光器室溫時可實現(xiàn)連續(xù)工作。

，這種受激輻射基于從半導體導帶的一個次能級到同一能帶更低一級狀態(tài)的躍遷，由于只有導帶中的電子參與這種過程，因此它是單極性器件。

　　半導體激光器分類

　　1、條形結(jié)構(gòu)激光器

　　2、GaAIAs/GaAs激光器

　　3、InGaAsP/InP激光器

　　4、可見光激光器

　　5、遠紅外激光器

　　6、動態(tài)單模激光器

　　7、分布反饋激光器

　　8、量子阱激光器

　　9、表面發(fā)射激光器

　　10、微腔激光器

　　11、異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器