為了解決這一課題,日立電線開發(fā)出了采用MOVPE法生長(zhǎng)的底層基板所使用的GaN模板。
GaN模板采用在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)n型GaN層的結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用GaN模板,LED制造商將不再需要n型GaN緩沖層的生長(zhǎng)工藝,生長(zhǎng)所需要的時(shí)間也將降至原來(lái)的一半左右。此外,采用日立電線生產(chǎn)的GaN模板,還可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)低阻化和高結(jié)晶性,這也同樣適用于需要較大電流的大功率LED。
此前,日立電線曾開發(fā)出用于藍(lán)紫色激光器等設(shè)備的單晶GaN自支撐基板,并為了實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的生產(chǎn),推進(jìn)了基于HVPE(注2)法的獨(dú)有結(jié)晶生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展。此次,我們以此項(xiàng)獨(dú)有的生長(zhǎng)技術(shù)為依托,全新開發(fā)出高質(zhì)量GaN模板的高效生產(chǎn)技術(shù)及設(shè)備,構(gòu)建了完備的量產(chǎn)體制。
GaN模板主要具有以下特點(diǎn):(1)基于在GaN自支撐基板的開發(fā)過(guò)程中積累的生長(zhǎng)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高結(jié)晶性和高表面質(zhì)量;(2)具備同樣適用于大功率晶片鍵合型LED等的低電阻n型GaN緩沖層(注3;(3)支持表面平坦的藍(lán)寶石基板及各種PSS(注4);(4)支持直徑2~6英寸晶片(8英寸晶片的開發(fā)正在計(jì)劃中)。
除以前開發(fā)出的GaN基板和GaN外延片外,日立電線此次又推出了GaN模板產(chǎn)品,今后將進(jìn)一步強(qiáng)化和擴(kuò)展GaN產(chǎn)品陣容,以提供可滿足客戶廣泛需求的化合物半導(dǎo)體材料。
同時(shí),日立電線還將參加于今年5月13~16日在美國(guó)新奧爾良市舉辦的CS Mantech(化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議),并在展覽會(huì)上進(jìn)行有關(guān)GaN模板的展示說(shuō)明。