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核心提示：
（TI）宣佈推出滿足惡劣環(huán)境的業(yè)界首款高溫非揮發(fā)性快閃記憶體裝置，該SM28VLT32-HT具有4MB工作容量，毋需耗費(fèi)昂貴成本再對工業(yè)級元件進(jìn)行產(chǎn)品資料表規(guī)格以外的篩選（up-screening）與認(rèn)證測試。該裝置不但可在極端溫度下實(shí)現(xiàn)資料記錄，還可確保在如油氣探勘、重工業(yè)以及航空等惡劣環(huán)境應(yīng)用中至少工作1000小時(shí)。
SM28VLT32-HT主要特性與優(yōu)勢：
1、最寬泛溫度範(fàn)圍：唯一可在-55C至+210C溫度範(fàn)圍內(nèi)工作的非揮發(fā)性快閃記憶體裝置；
2、高可靠度：經(jīng)過測試可在裝置整體工作壽命內(nèi)，于整個溫度範(fàn)圍下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的讀／寫操作；
3、更短設(shè)計(jì)時(shí)間：無需外部組件，可幫助製造商快速安全地開發(fā)各種可符合惡劣環(huán)境的應(yīng)用，將開發(fā)、測試與認(rèn)證時(shí)間縮短6個月；
4、小型增強(qiáng)型封裝：SM28VLT32-HT可採用陶瓷扁平封裝（ceramicflatpack）或已知良品晶圓（KnownGoodDie;KGD）封裝，允許在多晶片模組中整合小型封裝，充分滿足電路板空間有限的系統(tǒng)需求；
5、串列介面：SPI介面可簡化設(shè)計(jì)與封裝，減少接腳數(shù)。
採用8mmx25mm陶瓷扁平封裝的SM28VLT32-HT現(xiàn)已開始提供樣品，將于2013年第1季提供KGD封裝選項(xiàng)，并投入量産。
HTFLASHEVM評估模組內(nèi)建于增強(qiáng)型電路板，可在更高溫度下實(shí)現(xiàn)更簡易的評估，該評估模組現(xiàn)已開始提供。
SM28VLT32-HT可對TI全系列類比及嵌入式處理産品形成有力互補(bǔ)，充分滿足SM470R1B1M-HTARM7TDMI微控制器與SM320F28335-HTDelfino數(shù)位訊號控制器等高溫、高可靠度應(yīng)用需求。
