Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

~新的E系列器件具有低至39mΩ的導(dǎo)通電阻和7A～73A電流，采用的超級結(jié)技術(shù)可實現(xiàn)低FOM和高功率密度，具有8種封裝~

網(wǎng)，2012年10月22日訊 -- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴展到39mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級結(jié)技術(shù)，使公司進入使用功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的增量市場，包括照明、適配器和高功率可再生能源系統(tǒng)。

　　今天發(fā)布的器件使600V E系列MOSFET的器件數(shù)量增加到27個。所有的E系列器件都具有超低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，可實現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，從而在功率因數(shù)校正、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、適配器和太陽能電池逆變器等高功率、高性能的開關(guān)應(yīng)用中節(jié)約能源。

　　器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈沖，保證通過100% UIS測試時達到極限條件。MOSFET符合RoHS指令。

　　器件規(guī)格表：

型號

V_BRDSS (V)

I_D @ 25 ºC (A)

R_DS(ON) max. @ V_gs = 10 V (mΩ)

Q_g typ @

V_gs = 10V

(nC)

封裝

SiHP7N60E

600

7

600

20

TO-220

SiHF7N60E

600

7

600

20

TO-220 FullPAK

SiHD7N60E

600

7

600

20

DPAK/TO-252

SiHU7N60E

600

7

600

20

IPAK/TO-251

SiHP12N60E

600

12

380

29

TO-220

SiHF12N60E

600

12

380

29

TO-220 FullPAK

SiHB12N60E

600

12

380

29

D2PAK/TO-263

SiHP15N60E

600

15

280

38

TO-220

SiHF15N60E

600

15

280

38

TO-220 FullPAK

SiHB15N60E

600

15

280

38

D2PAK/TO-263

SiHP22N60E

600

22

180

57

TO-220

SiHB22N60E

600

22

180

57

D2PAK/TO-263

SiHF22N60E

600

22

180

57

TO-220 FullPAK

SiHG22N60E

600

22

180

57

TO-247AC

SiHP30N60E

600

30

125

85

TO-220

SiHB30N60E

600

30

125

85

D2PAK/TO-263

SiHF30N60E

600

30

125

85

TO-220 FullPAK

SiHG30N60E

600

30

125

85

TO-247AC

SiHW30N60E

600

30

125

85

TO-247AD

SiHB33N60E

600

33

99

100

D2PAK/TO-263

SiHP33N60E

600

33

99

100

TO-220

SiHG33N60E

600

33

99

100

TO-247AC

SiHW33N60E

600

33

99

100

TO-247AD

SiHG47N60E

600

47

99

147

TO-247AC

SiHW47N60E

600

47

64

147

TO-247AD

SiHG73N60E

600

73

64

241

TO-247AC

SiHW73N60E

600

73

39

241

TO-247AD

　　*備注：粗體的器件是E系列的新增型號。

　　這些新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，量產(chǎn)訂貨的供貨周期為十六周到十八周。