羅姆開發(fā)出高溫環(huán)境下無熱失控的超低IR肖特基勢壘二極管

　　日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）近日面向車載、電源設(shè)備，開發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢壘二極管"RBxx8系列"。與傳統(tǒng)的車載用整流二極管相比，可降低約40%的功耗，非常有助于電動(dòng)車（EV）和混合動(dòng)力車（HEV）等要求更低功耗的電路節(jié)能。

　　本產(chǎn)品已從1月份開始銷售樣品（樣品價(jià)格50～200日元／個(gè)），從5月份開始以月產(chǎn)100萬個(gè)的規(guī)模進(jìn)行量產(chǎn)。關(guān)于生產(chǎn)基地，前期工序在羅姆ROHM Wako Co., Ltd.（日本岡山縣），后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.（馬來西亞），ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.（泰國）、ROHM Korea Corporation（韓國）進(jìn)行。

　　高溫環(huán)境下使用的車載、電源設(shè)備的電路中，由于擔(dān)心熱失控，因此普遍采用整流二極管和快速恢復(fù)二極管（FRD）。但是由于整流二極管和FRD的VF值較高，因此很難實(shí)現(xiàn)EV和HEV所要求的更低功耗。在這種背景下，VF值較低的肖特基勢壘二極管（SBD）在高溫環(huán)境下亦可安全使用的產(chǎn)品的開發(fā)需求逐年高漲。

　　此次，羅姆通過采用最適合高溫環(huán)境的金屬，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)低IR化。與傳統(tǒng)的SBD相比，IR降低到約1/100，使高溫環(huán)境下的使用成為可能。

　　由此，整流二極管和FRD的替換成為可能，VF特性得以大幅改善（與傳統(tǒng)的FRD相比，VF降低約40％）。另外，更低VF可以抑制發(fā)熱，成功實(shí)現(xiàn)小型化封裝，有助于不斷電子化、小型化需求高漲的EV、HEV節(jié)省空間。