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江蘇多維推出世界首個(gè)TMR磁開關(guān)傳感器

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來(lái)源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):125
核心提示:
由多維科技的TMR技術(shù)(隧道磁阻)支持,是包括接近開關(guān)、速度傳感器和位置傳感器的多種高性能工業(yè)類應(yīng)用的最佳選擇。TMR技術(shù)在磁盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)中已經(jīng)被證實(shí)是一種高性能、經(jīng)濟(jì)有效、低功耗、且具有高可靠性的技術(shù)。MDT是第一個(gè)在其多個(gè)產(chǎn)品系列中提供TMR技術(shù)所有優(yōu)勢(shì)的批量供應(yīng)商。這些產(chǎn)品系列包括TMR磁開關(guān)傳感器、TMR磁場(chǎng)傳感器和TMR磁角度傳感器。

  多維科技董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官薛松生博士表示:“MDT的新型TMR磁開關(guān)傳感器為智能流量計(jì)帶來(lái)快速的測(cè)量、更長(zhǎng)的電池壽命以及持續(xù)可靠的運(yùn)行。我們?nèi)闹铝τ趯MR技術(shù)的優(yōu)勢(shì)帶到磁傳感器市場(chǎng),并通過(guò)推出產(chǎn)品和解決方案幫助我們的客戶取得成功。”

  MMS103H和MMS105H磁開關(guān)傳感器具有高達(dá)100kHz的頻率響應(yīng),而電源電流可低至5微安。區(qū)別于必須采用間歇供電或休眠模式來(lái)減少功耗的同類產(chǎn)品,MDT的磁開關(guān)傳感器可以在持續(xù)運(yùn)行狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)低功耗。

  重要特點(diǎn)

  具有CMOS數(shù)字鎖存輸出的雙極型TMR磁開關(guān)傳感器

  工作點(diǎn)和釋放點(diǎn)分別為 /-30高斯(MMS103H)和 /-50高斯(MMS105H)

  頻率響應(yīng)高達(dá)100kHz的高速磁場(chǎng)測(cè)量

  在3V電壓供電時(shí)低至5微安的功耗

  持續(xù)運(yùn)行以保證可靠測(cè)量

  在-40到125攝氏度區(qū)間展現(xiàn)出優(yōu)秀的溫度穩(wěn)定性

  TMR磁傳感器和信號(hào)處理ASIC集成于小型的SOT-23或TO-92封裝

  薛博士稱,MDT的TMR技術(shù)涵蓋了AMR(各向異性磁阻)、GMR(巨磁阻)、霍爾效應(yīng)和干簧管等現(xiàn)有磁傳感器技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn),并克服了這些技術(shù)的重要局限性。因此,MDT的TMR磁傳感器將高頻響、低功耗、高靈敏度、寬測(cè)量間隙、耐用性與持久性獨(dú)特地結(jié)合于一身。

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