英飛凌推出業(yè)界首款無(wú)鉛封裝的汽車(chē)電源MOSFET

　　英飛凌的MOSFET的新系列產(chǎn)品超越了現(xiàn)行歐盟RoHS指令對(duì)于含鉛焊錫封裝的規(guī)范，更嚴(yán)格的ELV符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)可能將于2014年施行，屆時(shí)將要求采用完全無(wú)鉛的封裝方式。作為業(yè)界首款無(wú)鉛封裝MOSFET的，英飛凌的新產(chǎn)品讓客戶滿足更嚴(yán)格的要求。

　　英飛凌推出至無(wú)鉛封裝的汽車(chē)電源的MOSFET的新型40V的OptiMOS™T2的MOSFET

　　英飛凌汽車(chē)電子事業(yè)處標(biāo)準(zhǔn)電源產(chǎn)品副總裁暨總經(jīng)理弗蘭克Schwertlein且符合RoHS環(huán)保之MOSFET，協(xié)助客戶開(kāi)發(fā)節(jié)能的“綠色”產(chǎn)品。“

　　英飛凌專(zhuān)*的無(wú)鉛黏晶（芯片粘接） 175μm），為功率半導(dǎo)體提供多項(xiàng)改良：

　　環(huán)保的技術(shù)：不使用線索及其他有毒物質(zhì)。

　　擴(kuò)散焊接黏晶技術(shù)結(jié)合薄晶圓制程：大幅降低封裝的導(dǎo)通電阻值的RDS（on）。

　　熱阻（RthJC）改善率高達(dá)40 - 50％：傳統(tǒng)的軟線索焊料的熱傳導(dǎo)能力不佳，阻礙了​​MOSFET的接面之散熱。

　　其他優(yōu)點(diǎn)還包括：由于沒(méi)有焊錫流量跡（出血）及晶片傾斜（芯片tiltness）的問(wèn)題，以及更收斂的RDS（ON）與RthJC

　　從新款的OptiMOS T2 40V（如：IPB160N04S4 - 02D，160A）的規(guī)格產(chǎn)品得知，其RDS（ON）僅2.0mΩ且RthJC僅0.9K / W相較于使用標(biāo)準(zhǔn)線索焊接的同類(lèi)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻降低了約20％的OptiMOS T2的產(chǎn)品擁有同級(jí)產(chǎn)品中最佳效能。

　　上市時(shí)間

　　OtpiMOS T2為業(yè)界率先采用至無(wú)鉛封裝的車(chē)用電源的MOSFET的，系列產(chǎn)品包括IPB160N04S4 - 02D（160A，TO - 263封裝），IPB100N04S4 - 02D（100A，TO - 263），IPP100N04S4 - 03D（100A，TO - 220 ）以及IPI100N04S4 - 03D（100A，TO - 262）皆已上市。